DDR3简介(一)
JEDEC成立于1958年,作为电子产业协会联盟(EIA)的一部分,为新兴的半导体产业制定标准。主要功能包括术语定义,产品特征描述,测试方法,固态存储器,DRAM,闪存卡及射频识别标签等的确定与标准化。
在DDR2时代,JEDEC规定的DDR2的最高运行频率是800MHz,但不少的模组厂商推出了DDR2-1200以及DDR2-1333的内存。在这种情况下,DDR3内存的竞争力就不高了,因为在频率得到提升的同时,DDR3内存的延时单位也增多了。
内存的延时一般就是我们所说的时序,如DDR2-800内存的标准时序:5-5-5-18,但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-15。这四个参数
代表DDR时序的几个重要方面,均已clock个数为单位。依次是CAS Latency(CL)内存CAS延时时间,只针对read操作;RAS-to-CAS Delay
(tRCD)内存行地址传输到列地址传输的时间;Row Precharge Delay(tRP)内存预充电时间;Row-active Delay(tRAS)内存行地址选通延时。
DDR3的这些参数都会比DDR2大一些,但并不是说DDR3的延时就会比DDR2大,因为DDR3的clock频率也比较高,所以最终的绝对延时DDR3还
是比较小的。而且JEDEC设置的内存时序比较保守,内存模组厂商会推出低延时的DDR3内存。
DDR3内存带宽的大幅度提高,还是依靠数据预取Prefetch,到了DDR3时代,Prefetch技术发展到了8Bit,一次可以从存储单元预取8Bit的数据,
在输入输出端口上行和下行同时传输,8Bit需要4个完整时钟周期,因此DDR3内存的输入输出时钟频率是存储单元核心的4倍。有效的数据传输频
率是存储单元核心频率的8倍。DDR3-800内存的存储核心频率只有100MHz,输入输出频率有400MHz,有效数据传输频率是800MHz。在实现
Prefetch的过程中,存储单元的内部总线位宽也在一直增加,如DDR3中内部总线位宽:芯片位宽=8:1。
DDR3的核心工作电压变为1.5V,其中DDR3L的低电平版本更是1.35V,而DDR2的工作电压是1.8V。电压降低幅度17%。
DDR3的几个新的功能:Reset功能,这是在DDR3内存中新增加的一项重要功能。它使DDR3内存的初始化更加简单,而且更便于功耗控制。
自动自刷新技术(Automatic Self Refresh)功能,通过一个内置于DDR3中的温度传感器来控制刷新频率,这样在保证数据不丢失的情况下尽可能
减少刷新频率。局部自刷新(Partial Array Self Refresh)功能,DDR3内存的一个可选项,只刷新部分逻辑bank,减少刷新操作带来的功耗。
DDR3的内存颗粒密度比DDR2要大很多,并且逻辑bank从8bank起步,总的内存可以达到8G,并且支持64位的数据线。而DDR2的逻
辑bank一般都是4bank,总的内存可以达到4G。