Image Processing for Embedded Devices <6>
2.3 sensor技术
图2.11 像素结构及其演进;(a)基本结构像素:光电二极管和累积单元;(b)Active像素,增加了现场放大;(c)4-T配置下Active像素:累积和读出模块分离
数字相机的成像传感器功能就好比老相机的胶卷。它将穿过镜头系统的光转化成电信号。电信号被适当处理,以标准格式在pipeline末尾存储。如图2.11(a)所示为像素的基本结构:一个光电二极管(将光转化成电信号),一个累积单元(电容)和一个开关。这种结构亦称为Passive pixel。这种构造的优势是可以最大化填充因子。
图2.11(b)所示为active pixel结构,增加了信号放大单元。这个放大系统可在读出过程中增大信号强度,因此提供SNR。亦被称为3-T(3个晶体管)结构。像素内的电荷电压转换提高了输出阻抗,但却降低了填充因子,因为部分像素表面用于放置2个开关和1个放大器。由这种像素组成的sensor被称作Active Pixel Sensor(APS)。
尽管这个结构有累积和读出电路,但二者是非隔离的,读出过程中,来自累积模块的噪声被放大和传送。因此一般广泛引用的结构是4-T结构,如图2.11(c)。这个结构中累积和读出是分离的,会提高最终SNR。
2.3.1 CCD和CMOS sensor
2.12 读出模式比较:通过电荷转移(CCD)和通过地址直接读取(CMOS)
2.13 共用相同技术,CMOS sensor和处理单元可集成于一块芯片,而CCD sensor和处理单元必须分开
第一个图像sensor诞生于1970,基于CCD(电荷耦合器件)技术。至于CMOS传感器,它们是硅基的,材料相似。然而CCD sensor是专门为采集图像而设计的并且发展了40余年。直到几年前,CCD sensor在图像质量这块表现突出,低噪声,高填充因子,高灵敏度和低暗电流(表2.1)。与CMOS(互补金属氧化物半导体)器件不同的是,CCD需要专用的高电压(10V)时钟驱动,高偏置电压(最大15V)和像素按次序读出的缺点,如图2.12。这也迫使开发者分离sensor和图像处理单元(图2.13),由于不同的制造技术(常常sensor和处理单元非同一制造商)从而增加成本,更大的CCD sensor尺寸(结果是需要更大的空间进入设备)。
因上述原因在20世纪90年代末芯片制造商实现了第一款CMOS图像传感器,成像质量差于CCD sensor,因此主要应用于低端市场。然而过去的几年间这一趋势改变了,现在CMOS sensor具有比CCD更高的性价比并且许多专业单反(SLR)中使用CMOS sensor。
CCD和CMOS图像传感器的不同点。
CCD:
l 电荷跨芯片传输并在阵列一角读出;
l 使用特殊制造工艺处理,能不失真跨芯片传输电荷;
l 高填充因子。
CMOS:
l 每个像素对应几个晶体管放大和转移电荷,通过传统的线;
l 更灵活,每个像素能单独读出;
l 高使用同样传统工艺制造主微处理器;
l 集成简单;
l 低填充因子。
图2.12展示了CCD和CMOS不同的读出模式。前者通过按顺序转移像素的值到同列相邻像,直到列末尾。后者可通过实际像素位置寻址直接读出。这意味着CCD sensor中的一个坏点可能会影响整列的读出,而CMOS sensor中只影响它本身值不影响列上其他像素。另外,CCD的读出过程是”按次序的”,因此会慢于CMOS的”并行”通信处理。另外CCD sensor技术和图像信号处理器技术不同,它的尺寸大于同处理器技术一致的CMOS sensor。结果如图2.13,CMOS sensor和处理器可以集成在一起,节省空间,传输问题和电路布局。
3CCD
2.14 3CCD结构器件:输入图像送给3个sensor,1个对应1种颜色sensor
为了获得全彩采集的优势,一些系统使用3个sensor,1个对应一个颜色分量,因此每个像素都可采集其全部颜色分量。使用棱镜将光学系统的输入图像送给sensor。为了图像质量和易于使用,分光棱镜应有几点简单特征:
l 所有输出图像应该面向输入图像同一方向;
l 所有通道光路长度必须相同;
l 棱镜传送所有偏振角度光且均匀性好;
l 保护所有涂层不受环境影响;
l 足够的空间用于装备过滤器和sensor。
这种系统常应用于专业录像机。图2.14展示了一个经典的3CCD采集系统的结构。注意棱镜的设计,使每个sensor实际上处于和镜头相同距离位置。