SM470 F05库函数阅读笔记

写在前面：本文为作者原创，转载请注明出处。

函数：

1.Flash_Compact_B

用于flash硬件检测。检测并校正flash里的电荷损耗bit。该函数一次只校正一个sector。

2.Flash_Blank_B

用于验证flash是否被正确擦除。每个bank单独调用，不能同时用于多个bank。

1=region is blank；

0=region is no blank（读取值为非0xFFFFFFFF）

3.Flash_Verify_B

 验证写入的数据是否正确。

4.Flash_Verify_Data_B

验证写入的数据是否正确。

与Flash_Verify_B的区别是：指定了用于跟flash数据进行比对的buff里的数据长度。

5.Flash_Match_Key_B

仅用于有flash protection keys的器件。

操作flash之前必须调用此函数并且返回值为TRUE。

NOTE:

1.调用Flash_Erase_B,Flash_Sector_Erase_B,Flash_Start_Erase_B之前先调用Flash_Compact_B，Flash_Compact_B不会对现有数据有任何影响，仅校正有可能存在的电荷损耗现象（depletion）；

2.擦除过程中发生中断可能会导致产生这样的位：紧接着的Flash_Blank_B检测为已擦除，但是未被完全擦除（完全充电）的位。

解决方法：通过调用Flash_Blank_B将status.Stat1传给Flash_Erase_B来修正这样的bit。1）若Flash_Blank_B返回值为TRUE，则status.Stat1 = 0x12345678，Flash_Erase_B将屏蔽预处理步骤（将所有的位置0），仅擦除和compact；

2）若Flash_Blank_B返回值为FALSE，则status.Stat1 = 0x00000000，Flash_Erase_B执行完整的过程（full erase）。

**由于Flash_Start_Erase_B和Flash_Erase_Sector_B没有status参数，所以无法使用该功能。

结合以上两点，我们可以得出这样的结论：

1）每次擦除之前先调用Flash_Compact_B检测硬件是否完好；

2）再调用Flash_Blank_B检测是否为blank，如果是，就可以省去擦除预处理步骤以节省大量时间（使用FLASH_ERASE_B）；

 

不同的擦除流程比较

1.使用FLASH_ERASE_B函数

1）可擦除任意个sector；

2）从数据吞吐量的角度看令人满意：被识别为blank的sector处理更快，但代码复杂；

3）优点：能够屏蔽预处理（屏蔽预处理能够极大地提高blank sector的擦除速度）；

4）即使被识别为blank的块也要再擦除一次，以避免Flash_Erase_B过程中产生的不合格的数据；（使用之前无论如何再擦一遍就是了）

**Flash_Erase_B是唯一一个记录erase和compaction脉冲记数的函数。（有什么用处呢？） 

2.使用FLASH_ERASE_SECTOR_B函数

1）可擦除任意个sector；

2）从数据吞吐量的角度看令人不太满意：所有的sector都执行了完整的擦除过程（full erase，包括预处理过程，相比FLASH_ERASE_B要慢）；

3）优点：代码简洁；

4）即使被识别为blank的块也要再擦除一次，以避免Flash_Erase_Sector_B过程中产生的不合格的数据；（跟FLASH_ERASE_B一样）

5）无相关脉冲记录（相比于FLASH_ERASE_B）。

3.使用FLASH_START_ERASE_B和FLASH_STATUS_U16

1）可擦除任意个sector；

2）优点：多任务处理，状态机在执行擦除操作的同时可以执行其他指令

3）使用之前无论如何再擦一遍！

4）无相关脉冲记录（相比于FLASH_ERASE_B）。

写入流程

1）对于用到的sector，每次写入之前都要擦除；

2）管理要存入的数据。i.e.如果要存入的数据量大，需要跨bank存储，那么需要先对数据进行分割，并针对不同的bank单独调用FLASH_PROG_B。

代码实现TIPS

program之前记得要完成两个工作：

1）配置FLASH为可写（MFBALRx.1）；

2）对于有KEY的FLASH要先Match KEY。