20145313《信息安全系统设计基础》第7周学习总结

20145313《信息安全系统设计基础》第7周学习总结

教材学习内容总结

  • 静态RAM:SRAM有双稳态特性。比DRAM更快也更贵。
  • 动态RAM:DRAM对干扰非常敏感。
  • DRAM芯片中的单元被分层d个超单元,每个超单元都有w个DRAM单元组成。一个d*w的DRAM总共存储了dw位信息。每个超单元有形如(i,j)的地址。存储控制器将行地址和列地址分别发送到DRAM,返回超单元(i,j)的内容。
  • DRAM和SRAM断电后会失去信息,即易失性存储器。
  • PROM只能被编程一次。
  • EPROM可重复编程1000次。
  • EEPROM可重复编程10^5次。
  • 总线是一组并行导线,能携带地址、数据和控制信号。
  • 读事物从主存传送数据到cpu。反之为写事物。
  • 磁盘每个表面由一组称为磁道的同心圆组成,每个磁道被分为一组扇区。
  • 磁盘容量由记录密度、磁道密度和面密度决定。
  • 对扇区的访问时间包括:寻道时间、旋转时间和传送时间。
  • DRAM和磁盘的性能要滞后于CPU的性能。现代计算机频繁使用基于SRAM的高数缓存,试图弥补处理器—存储器之间的差距。
  • 局部性原理:程序倾向于引用邻近于其他最近被引用过的数据项的数据项,或者最近引用过的数据项本身。
  • 局部性好的程序用时更短。
  • 步长越短空间局部性越好。
  • 存储器层次结构:上层是下层的高速缓存。
  • 影响高速缓存性能的参数有:高速缓存大小的影响、块大小的影响、相联度的影响、写策略的影响。

代码

链接:http://git.oschina.net/entropy_z/Linux

学习进度条

代码行数(新增/累积) 博客量(新增/累积) 学习时间(新增/累积) 重要成长
目标 5000行 30篇 400小时
第一周 200/200 1/1 20/20
第二周 300/500 1/2 18/38
第三周 500/1000 1/3 22/60
第四周 150/1150 1/4 30/90
第五周 150/1300 1/5 30/120
第六周 50/1350 1/6 30/150

参考资料

posted @ 2016-10-30 17:55  20145313张雪纯  阅读(162)  评论(1编辑  收藏  举报