STM32访问外部存储器-NOR-Flash
基本说明
STM32访问外部存储器是需要配置FSMC的相关函数,在STM32固件库函数说明的中文翻译版中并没有这部分的说明,因此需要参考库函数的相关说明和库中自带的例程。
以下内容来自AN2784应用笔记:
2 与非总线复用模式的异步16位NOR闪存接口
2.1
FSMC配置
控制一个NOR闪存存储器,需要FSMC提供下述功能:
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选择合适的存储块映射NOR闪存存储器:共有4个独立的存储块可以用于与NOR闪存、SRAM和PSRAM存储器接口,每个存储块都有一个专用的片选管脚。
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使用或禁止地址/数据总线的复用功能。
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选择所用的存储器类型:NOR闪存、SRAM或PSRAM。
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定义外部存储器的数据总线宽度:8或16位。
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使用或关闭同步NOR闪存存储器的突发访问模式。
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配置等待信号的使用:开启或关闭,极性设置,时序配置。
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使用或关闭扩展模式:扩展模式用于访问那些具有不同读写操作时序的存储器。
因为NOR闪存/SRAM控制器可以支持异步和同步存储器,用户只须根据存储器的参数配置使用到的参数。
FSMC提供了一些可编程的参数,可以正确地与外部存储器接口。依存储器类型的不同,有些参数是不需要的。
当使用一个外部异步存储器时,用户必须按照存储器的数据手册给出的时序数据,计算和设置下列参数:
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ADDSET:地址建立时间
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ADDHOLD:地址保持时间
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DATAST:数据建立时间
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ACCMOD:访问模式 这个参数允许 FSMC可以灵活地访问多种异步的静态存储器。共有4种扩展模式允许以不同的时序分别读写存储器。 在扩展模式下,FSMC_BTR用于配置读操作,FSMC_BWR用于配置写操作。(译注:如果读时序与写时序相同,只须使用FSMC_BTR即可。)
如果使用了同步的存储器,用户必须计算和设置下述参数:
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CLKDIV:时钟分频系数
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DATLAT:数据延时
如果存储器支持的话,NOR闪存的读操作可以是同步的,而写操作仍然是异步的。
当对一个同步的NOR闪存编程时,存储器会自动地在同步与异步之间切换;因此,必须正确地设置所有的参数
程序分析
实际例程
以下例程来自 stm3210e_eval_fsmc_nor.c具体信息参加固件库中源文件。